d4184场效应管参数

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最小漏源击穿电压 40 V

最大漏极电流 (Abs) (ID) 50 A

最大漏极电流 (ID) 50 A

最大漏源导通电阻 0.008 Ω

FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JEDEC-95代码 TO-252

JESD-30 代码 R-PSSO-G2

元件数量 1

端子数量 2

工作模式 ENHANCEMENT MODE

最高工作温度 175 °C

封装主体材料 PLASTIC/EPOXY

封装形状 RECTANGULAR

封装形式 SMALL OUTLINE

极性/信道类型 N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs) 50 W

最大脉冲漏极电流 (IDM) 120 A

认证状态 Not Qualified

表面贴装 YES

端子形式 GULL WING

端子位置 SINGLE

晶体管元件材料 SILICON

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